英特尔与美光开始量产34nm工艺闪存

    【资讯】英特尔和美光科技(Micron Technology)于当地时间2008年11月24日宣布，基于34nm制造工艺技术的32Gbit MLC型NAND闪存已开始量产。双方以在合资公司IM Flash Technologies(IMFT)开发的制造技术，生产可集成于48引脚TSOP(薄型小尺寸封装)的单片结构闪存芯片。

    该芯片采用300mm晶圆生产，芯片尺寸为172mm2。除可用于数码相机和音乐播放器等小型产品，作为低成本高密度的存储装置外，还可用于实现固态硬盘(SSD)的低成本和大容量。另外，两公司还计划09年上半年开始，使用34nm工艺，供货密度更低的MLC和SLC(2值单元)样品。

    这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产，切割自300毫米晶圆，核心面积172平方毫米，在同类产品中是最小的。该芯片容量32Gb，一块晶圆可以换来大约1.6TB的合计容量，另外通过标准的48引脚TSOP封装，还可以将这种芯片做成更大容量的NAND闪存设备，比如两个裸片封装就能实现64GB。

   IMFT提前实施了NAND型内存制造向34nm工艺过渡的计划。预定08年内将美国犹他(Utah)州利哈伊(Lehigh)工厂50%以上产品的生产改用34nm工艺。

    据美国媒体(CNET News.com)报道，美光预定于09年3月开始量产256GB的SSD。而韩国三星电子08年11月20日宣布，已经开始量产256GB的2.5英寸SSD。

（编辑：ASP站长网）