三星/海力士先后完成40nm DDR3内存研发

    【资讯】据国外媒体报道，三星（SAMSUNG）已经完成第一款40纳米DRAM内存芯片的研发，并通过了Intel的认证。而紧随其后，海力士（Hynix）在一周内也宣布完成了40纳米工艺1Gb DDR3内存芯片的研发。

    据了解，三星的40纳米1Gb DDR2内存芯片构成的1GB DDR2-800 SO-DIMM内存条已经通过英特尔认证，相比于以往50纳米的同类产品，40纳米产品可以减少30%的功耗，同时将生产效率提高60%，新内存的生产上市速度也将加快至少一半。

    海力士方面，其新的1Gb DDR3内存最高速度可达到2133MHz的频率，并且也通过了英特尔GM45平台的认证。据海力士透露，他们采用了三位晶体管架构技术，有效的减少了漏电问题，将整体功耗进一步减少，使效率提升50%以上。

    三星和海力士都计划在今后将40纳米工艺用在更多的领域，如移动设备中的DRAM、显卡中的DRAM（显存）等等。此外，三星透露，40纳米工艺对“超高性能DRAM技术”来说，是非常关键的重要技术，未来的DDR4也将用到这项技术。不过，DDR4时代可能要到2012年才会到来。

（编辑：ASP站长网）