英特尔在ISSCC热捧片上系统和8核处理器(2)

为小型移动设备提供更好的图形支持

    为了进一步提高移动设备上多媒体、图形、信号处理等最消耗计算性能和能源的应用操作的能效表现， SIMD计算至关重要。SIMD是指用单一指令来处理多个数据元素（如图像中的全部像素）。随着设备尺寸逐渐缩小和应用视觉效果日趋增强，人们需要更先进的技术，在降低能耗的同时完成更多的SIMD处理。当前SIMD加速电路的泄漏电流较高、电源管理能力有限，同时也无法很好地扩展至较低电压。

《一款基于45纳米CMOS制程的 300毫伏、494GOPS/W且可重新配置的双电源4路SIMD向量处理加速器》
“A 300mV 494GOPS/W Reconfigurable Dual-Supply 4-Way SIMD Vector Processing Accelerator in 45nm CMOS”

    本文将展示一款能够为任何平台（尤其是笔记本电脑、MID和其它小型设备）提供更丰富的多媒体内容和更逼真的视觉效果的45纳米制程原型SIMD加速器芯片。这项新技术能够实现：

1. 在标准电压下提供超出目前产品10倍的能效表现。
2. 其电路还能平滑扩展至超低压（从1.3伏降至230毫伏）。
3. 将电压降至300毫伏后，芯片能效可进一步提高8倍。

• 第1页：片上系统将使摩尔定律继续发挥作用
• 第2页：为小型移动设备提供更好的图形支持

• 第3页：45纳米制程企业级处理器

（编辑：ASP站长网）