SOI和DSL技术将颠覆服务器处理器(2)

SOI（silicon on insulator，绝缘体上外延硅）技术

    SOI（Silicon-on-insulator）技术是指在在绝缘层上（如二氧化硅）再附着非常薄的一层硅，在这层SOI层之上再制造电子设备。SOI与传统的半导体生产工艺（一般称为bulk CMOS）相比可提高性能25%-35%，降低功耗1.7-3倍。

    相关POWER处理器的这项技术的最近一次亮相是在日本举行的“2005年国际固体电路会议（ISSCC 2005）”上，当时是在发布由索尼集团、美国IBM和东芝联合开发的微处理器“Cell”的有关工艺技术详情时所提到的，介绍了该处理器采用的栅长46nm的晶体管应用了SOI（silicon on insulator，绝缘体上外延硅）技术和应变硅技术。

    SOI技术为部分空乏型（Partially Depleted），采用粘贴或SIMOX（注氧分离）晶圆，栅长为46nm，栅绝缘膜使用SiON，以SiO2换算的膜厚为1.05nm。逻辑电路使用2个不同的阀值电压。布线为8层铜布线，其中的低介电率（low-k）膜采用了CVD法形成的SiOC。

    当时，Cell处理器的生产基地包括IBM位于美国东费希基尔的300mm生产线和索尼集团位于日本长崎的“Fab2”。而且还在探讨在日本大分TS半导体（OTSS）进行生产的可行性，但目前尚未确定。
但是，处理器技术的进步并不能代表整个系统性能的进步，因此，需要花费一定的时间来进行研发工作。

    此次发布的新平台就是基于IBM对平衡的系统设计，所以这些新技术在处理器级别上实现的性能提升可以一直转移和放大到系统级别。

    与以前的系统相比，新系统的各组件——包括处理器到处理器的互连、处理器到高速缓存的速度以及所有芯片和总线的速度都得到了大幅度提高，这样才能够保持平衡的系统性能表现。

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• 第2页：SOI（silicon on insulator）技术

（编辑：ASP站长网）