Intel MetaSDRAM 推动DDR3内存发展

     【资讯】2008年春季英特尔信息技术峰会IDF（Intel Developer Forum），将于2008年4月2~3日在上海国际会议中心举行。本次大会的主题是“芯动力 新世界”，英特尔将和整个业界探讨数字企业、移动计算到软件与解决方案、技术与研发；分享最新的产品、平台方面的技术动态；共同推动国内外IT业界的合作，促进信息产业的发展。

    相比CPU核心每18个月翻一番的处理速度而言，内存的速度每36个月才会加倍，这种差异形成的瓶颈显然限制了系统的整体性能。通常我们的做法是增加内存的密度——即尽可能高的提升内存颗粒的容量。然而，这种做法将使得DIMM内存的价格变得无比昂贵。

    本届IDF春季会展上，我们看到英特尔针对这一问题拿出了基于MetaSDRAM的解决方案。

    据工程师介绍，MetaSDRAM技术可以将两颗独立的1Gb SDRAM组合起来，使其表现为一颗2Gb的SDRAM。同样，这个技术也可以让4-Rank表现为2-Rank。要知道，传统的8GB 2-Rank RDIMM是由2Gb SDRAM组成才行；而应用了MetaSDRAM控制器，则可以实现应用主流的1Gb SDRAM来组成2-Rank模式。这将节省很多组建高密度内存的费用。

    MetaRAM作为沟通DRAM和内存控制器的桥梁，将减少电路读取内存的时间，更重要的是它整合了内存，节余了更多的DIMM通道。

    令人惊叹的是，MetaSDRAM还从硬件层面提高了I/O响应速度，增加了内存和CPU的沟通带宽。

    这些优势使MetaSDRAM技术突破了当前SDRAM密度与未来高容量内存之间的过渡瓶颈，成为高性能机架服务器和工作站的主要应用对象。尤其是运行一些高精密计算的应用，如：CAD/CAM/EDA仿真，数据库处理，OLTP，数字内容的创建和虚拟化。难能可贵的是，使用该内存无需对任何现有平台的软硬件升级。

（编辑：ASP站长网）