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闪存企业级应用持续升温 IBM秀闪存阵列(2)

发布时间:2017-01-02 10:10 所属栏目:52 来源:李隽
导读:闪存技术路线图 除了IBM,过去多家存储厂商,也曾推出PCIe接口的闪存卡,来加快服务器的I/O性能,例如EMC VFCache产品等。而IBM除了推出FlashSystem产品之外,在未来也将持续推出采PCIe接口的Flash闪存产品线。此外

  闪存技术路线图

  除了IBM,过去多家存储厂商,也曾推出PCIe接口的闪存卡,来加快服务器的I/O性能,例如EMC VFCache产品等。而IBM除了推出FlashSystem产品之外,在未来也将持续推出采PCIe接口的Flash闪存产品线。此外,FlashSystem产品技术也将与IBM服务器产品整合,包括Flex System服务器等。

  谈到PCI-E闪存加速卡与全闪存阵列的区别,许育诚认为:PCI-E闪存卡拥有广阔的市场,但PCI-E闪存卡应用有几个方面的特点,第一,PCI-E闪存卡适合的应用90%是读操作,另外,PCI-E闪存卡更多的适用于单个的服务器加速,暂时还没有集群的应用。如果要将闪存技术应用到企业级,首先需要大量的写操作,其次,数据需要共享给更多的服务器应用,目前还是闪存阵列能够更好的满足更多的企业级应用需求。

闪存技术路线图
▲IBM副总裁、IBM系统与科技部企业级存储产品线总经理周谂畬

  谈到FlashSystem的未来路线图,IBM副总裁、IBM系统与科技部企业级存储产品线总经理周谂畬透露, IBM的闪存技术追求更高的密度,目前FlashSystem 820做到了1U 24TB容量,未来,FlashSystem的IO密度和容量都会持续提升。此外,IBM在购买TMS公司的时候还购买了内置基础架构技术,TMS的闪存技术除了可以作为独立闪存阵列销售,很快还会融入IBM的高端存储、以及中端存储系统产品中,并与IBM的DB2数据库技术和中间件Information Management做高度的整合,包括和Puredata analytics也会有深度的整合,未来IBM将利用闪存技术作答数据基础云。

闪存技术路线图
▲周谂畬解读IBM未来的闪存路线图

  周谂畬进一步谈到,更进一步的计划不仅仅包括核心技术的投资,甚至包括工艺制程方面的改进,现在的闪存技术基于20纳米,以后会有19纳米、15纳米的工艺制程。“我们在苏黎世有一个很重要实验室专门做这方面的研究,利用数字信号进程技术(Digital Signal processing Technology)增加闪存的密度。Digital Signal Processing Technology能够区分这些data不一样的地方,我们未来将会将这些全新的技术融入闪存。”

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(编辑:ASP站长网)

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