吴越半导体GaN晶体出片，全世界首例厚度突破1厘米

发布时间：2021-12-18 08:57 所属栏目：125 来源：互联网

导读：吴越半导体GaN晶体出片仪式在高新区举行。副市长高亚光等出席仪式。无锡吴越半导体有限公司成立于2019年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破

吴越半导体GaN晶体出片仪式在高新区举行。副市长高亚光等出席仪式。

无锡吴越半导体有限公司成立于2019年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。

2020年2月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。

仪式上，吴越半导体还与君联资本、新投集团签署A轮融资战略框架协议。

（编辑：ASP站长网）