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消息称 3nm 良率难拉升,台积电已多次修正蓝图

发布时间:2022-02-21 16:21 所属栏目:15 来源:互联网
导读:台积电总裁魏哲家在法说会上透露,3 纳米制程进展符合预期,将于今年下半年量产。不过据 Digitimes 最新报道,半导体设备厂商透露,台积电 3 纳米良率拉升难度飙升,台积电因此多次修正 3 纳米蓝图。 半导体设备厂商并指出,台积电已将 3 纳米划分出 N3、N3E
  台积电总裁魏哲家在法说会上透露,3 纳米制程进展符合预期,将于今年下半年量产。不过据 Digitimes 最新报道,半导体设备厂商透露,台积电 3 纳米良率拉升难度飙升,台积电因此多次修正 3 纳米蓝图。
 
  
  半导体设备厂商并指出,台积电已将 3 纳米划分出 N3、N3E 与 N3B 等多个版本以符合不同客户的需求。
 
  据悉,与 5 纳米工艺相比,3 纳米制程可以提高 70% 的晶体管密度,15% 的性能,降低 30% 的功耗。有消息称台积电将在 2023 年第一季度开始向苹果和英特尔等客户运送 3 纳米芯片,第一批采用 3nm 芯片的苹果设备预计会在 2023 年首次亮相。

(编辑:ASP站长网)

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